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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，该器件在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，尤其适合对体积、温升及能效有严格要求的应用场合。