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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）达108A，导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，栅源电压范围（VGS）为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高频率的电源转换系统、服务器电源、可再生能源发电设备以及对热管理要求严苛的功率电子应用。
