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该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高温工作能力，适用于高效率、高开关频率的电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统及大功率充电设备等，在提升系统整体能效与功率密度方面具有显著优势。