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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至20mΩ，在高功率密度应用中可显著降低导通损耗。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，支持宽范围驱动信号，增强系统设计灵活性。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能维持高效能与良好热稳定性，适用于对效率、尺寸及散热性能有严苛要求的电源转换场合。