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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗和优异的开关性能，在高频率运行条件下仍能保持较低的温升。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如高频开关电源、可再生能源逆变器及高效电能变换设备等场景。