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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料特性，在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对热管理与空间布局要求较高的电力电子应用。