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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、70A的连续漏极电流（ID）以及44mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的优势，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及高效电能管理设备，能够在较高结温下稳定运行，提升整体系统效率。
