-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率优势，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，低导通电阻有助于降低传导损耗，从而支持更紧凑、高效的电力转换架构。