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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中，能够在高温和高频率工作条件下保持稳定性能。