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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压特性使其在高频开关应用中表现突出，能够有效提升系统整体能效并简化散热设计。