SCTWA35N65G2V-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-247H-4L
类别： 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装： 30/管装
参数1： ID:55A
参数2： VDSS:650V
参数3： RDON:45mR
参数4： VGS:-10/+25V
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统中的功率转换环节。

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