-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至@5V内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其电气参数组合使其在高电压、大电流应用场景中具备良好的动态响应与热稳定性。