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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效与可靠性。
