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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压范围为-10V至@5V。其低导通电阻有助于降低导通损耗，宽栅压范围提升了驱动灵活性。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统及数据中心供电架构。