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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为108A，漏源击穿电压为750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时低RDS(on)有助于降低导通功耗，支持高功率密度设计。