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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，在高频开关操作中展现出低损耗与高效率。适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换场合，可在紧凑布局下维持稳定运行，并支持快速开关响应，提升系统整体能效表现。