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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，确保在多种驱动条件下稳定工作。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高温环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合对能效和热管理要求较高的电力电子系统。