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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热性能。其电气参数适合用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高性能电力电子设备中，在保证稳定运行的同时支持紧凑型电路设计。