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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换环节以及对散热和空间布局敏感的电力电子装置，能够支持紧凑型高功率密度设计。