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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关与导通损耗，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能转换设备。其负栅压耐受能力有助于提升关断可靠性，减少误触发风险。