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该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合用于对动态响应和热管理要求较高的电力电子应用中。