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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与开关特性。器件基于碳化硅材料，相较传统硅基器件在高温和高压条件下表现出更低的导通损耗与更高的系统效率，适合用于对能效和热管理要求较高的电力电子应用中。