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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效，同时简化散热设计。