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该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料优势，在高频工作状态下展现出较低的导通损耗与开关损耗，适用于高效率电源转换、服务器电源、光伏逆变系统及对热性能和空间布局要求较高的电力电子应用。