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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，最大漏源电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具有低导通损耗和优异的高频开关性能，在高效率电源转换、服务器电源、光伏逆变及储能系统等应用中可有效提升能效与功率密度。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，并有助于改善系统在高温或高负载条件下的稳定性。