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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作并降低导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和能效要求较高的电力电子应用。