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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于优化开关过程中的动态性能与可靠性。