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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至45mΩ，栅源电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高电压与大电流条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的开关性能，适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换及高频开关应用。宽栅压范围提升了驱动电路的适配灵活性。