-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于高效率、高开关频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。该器件结构适合对体积与性能均有较高要求的应用环境。