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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源系统。其宽栅压范围有助于兼容多种驱动电路，同时在高温或高负载工况下维持稳定电气性能。