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该碳化硅场效应管为N沟道结构，具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。