-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。该MOSFET适合用于对功率密度和能效要求较高的电力电子应用中。