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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）与650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能，有效降低功率损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，能够在较高结温下稳定工作，提升整体系统可靠性与能效表现。