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该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频电力转换设备等场景，可在高电压、大电流条件下维持稳定运行。