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该N沟道碳化硅MOSFET具备105A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和开关性能，在高频、高效率电力转换系统中表现突出。其低导通损耗和快速开关特性适用于对能效和体积有较高要求的电源管理场景，可有效提升系统整体效率与响应速度。