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该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧，栅源电压（VGS）额定范围达±20V。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热稳定性。适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电子设备中的功率转换与开关电路。
