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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）和306mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、光伏逆变系统、不间断电源及各类对能效和热管理有较高要求的电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动灵活性，有助于优化系统设计。
