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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，该器件在高频、高效率电源拓扑中表现稳定，适用于通信电源、可再生能源转换系统及高功率密度电源模块等应用场合。
