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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源系统。其负向栅压耐受能力有助于提升关断可靠性，同时宽驱动电压范围便于与多种控制电路配合使用。