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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。