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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。