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该N沟道碳化硅MOSFET具备8.6A的漏极电流能力与800V的漏源耐压，导通电阻为525mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高电压应用中表现出较低的导通损耗和优异的高温稳定性，适用于高频开关电源、光伏逆变器及高效电能转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，有助于提升整体运行可靠性。