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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力和较低的导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能。适用于对效率、热管理和体积有较高要求的电源转换与功率控制场合。