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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于高效率、高频率的功率转换场景。碳化硅材料特性使其在高温和高压条件下仍能保持稳定性能，适合用于对可靠性与能效要求较高的电力电子系统中，如电源适配器、光伏逆变器及高频开关电源等应用。