-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。