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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。