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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V，支持负压关断以增强抗误导通能力。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的高温工作特性，适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。
