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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。其结构利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于高频、高效率要求的电源转换系统，可在紧凑布局中实现可靠的功率开关功能。
