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该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低的温升。适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景，如同步整流、负载开关及高密度直流转换系统，能够在高频操作中保持稳定的电气特性与可靠运行。
