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该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为60V，导通电阻低至3.7毫欧。其极低的RDS(ON)有效减小了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并降低温升。适用于高电流电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场合，在需要高效能与紧凑布局的设计中可提供稳定可靠的性能表现。